以下是光刻膠剝離劑的新技術(shù)及其最新進展:
新型化學(xué)配方
環(huán)保型配方:默克公司推出的AZ? 910 去除劑,基于不含有NMP(N-甲基吡咯烷酮)的新型特制化學(xué)配方。這種配方不僅能夠快速溶解殘留光刻膠,還具備超高的經(jīng)濟性、出色的環(huán)保性和廣泛的適用性。與傳統(tǒng)NMP清洗劑相比,它可直接溶解負性和正性光刻膠,而非僅剝離,從而將清洗工藝時間縮短近一半,同時延長相關(guān)材料和過濾設(shè)備的使用壽命,降低總體成本。
多功能配方:一種新型的光刻膠剝離液,包含用于溶解的有機溶劑、加快去膠速率的解交聯(lián)催化劑,以及避免基片腐蝕的防腐蝕保護劑。這種剝離液能夠縮短去膠周期,對人體和環(huán)境無毒性,尤其適用于曝光后發(fā)生交聯(lián)的光刻膠,尤其是負性光刻膠,能夠徹底清除,防止影響后續(xù)使用性能。
新的剝離工藝
無需加熱和振蕩的工藝:上述提到的新型光刻膠剝離液,其應(yīng)用工藝不需要加熱、振蕩等過程。這不僅可以提高去膠速度,還能避免輔助措施可能對基片造成的破壞,進一步提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
等離子體剝離技術(shù):等離子光刻膠剝離劑因其提供環(huán)保解決方案同時確保與先進技術(shù)兼容的能力而受到關(guān)注。這種技術(shù)通過等離子體的作用來去除光刻膠,具有更高的去除效率和精度,且對環(huán)境友好,符合未來半導(dǎo)體制造對綠色生產(chǎn)的要求。
其他技術(shù)突破
高精度去除:隨著半導(dǎo)體制造工藝向更小尺寸和更高集成度發(fā)展,對光刻膠剝離劑的性能要求也在不斷提高。研發(fā)人員正在致力于開發(fā)能夠更精確地去除光刻膠,同時最大限度減少對硅晶片損害的剝離劑,以滿足嚴(yán)格的環(huán)境和安全標(biāo)準(zhǔn)。
國產(chǎn)化進展:在國內(nèi),相關(guān)企業(yè)和研究機構(gòu)也在積極推進光刻膠剝離劑的國產(chǎn)化。例如,華中科技大學(xué)武漢光電國家研究中心團隊在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破,這為光刻膠剝離劑的國產(chǎn)化研發(fā)提供了有力的技術(shù)支持。
【目標(biāo)客戶】國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)、產(chǎn)品工業(yè)設(shè)計院所,研究機構(gòu),科研院校的科技人員、公司經(jīng)理。
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